Информация о ip 1.2.229.38

Биполярный транзистор 2SB1412 — описание производителя. Основные параметры. Даташиты.

Наименование производителя: 2SB1412

Тип материала: Si

Полярность: PNP

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 1
W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 30
V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 20
V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6
V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 5
A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150
°C

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 120
MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 60
pf

Статический коэффициент передачи тока (hfe): 82

Корпус транзистора: TO252

2SB1412
Datasheet (PDF)

1.1. 2sb1412 3ca1412.pdf Size:245K _update

2SB1412(3CA1412) 硅 PNP 半导体三极管/SILICON PNP TRANSISTOR
用途:用于中功率放大。
Purpose: Medium power amplifier applications.
特点:饱和压降低,极好的直流电流增益特性,与 2SD2118(3DG2118)互补。
Features: Low V ,excellent DC current gain characteristics, complements the 2SD2118(3DG2118).
CE(sat)
极限参数/Absolute maximum ratings(Ta=25℃)

1.2. 2sb1412-r.pdf Size:39K _update

SMD Type Transistors
Low Frequency Transistor
2SB1412
TO-252
Unit: mm
+0.15 +0.1
6.50-0.15 2.30-0.1
+0.2 +0.8
5.30-0.2 0.50-0.7
Features
Low VCE(sat).
PNP silicon transistor.
0.127
+0.1 max
0.80-0.1
+0.1
2.3 0.60-0.1
1 Base
+0.15
4.60-0.15
2 Collector
3 Emitter
Absolute Maximum Ratings Ta = 25
Parameter Symbol Rating Unit
Collector-base voltage VCBO -30 V
Collector-emit

 1.3. 2sb1412-q.pdf Size:39K _update

SMD Type Transistors
Low Frequency Transistor
2SB1412
TO-252
Unit: mm
+0.15 +0.1
6.50-0.15 2.30-0.1
+0.2 +0.8
5.30-0.2 0.50-0.7
Features
Low VCE(sat).
PNP silicon transistor.
0.127
+0.1 max
0.80-0.1
+0.1
2.3 0.60-0.1
1 Base
+0.15
4.60-0.15
2 Collector
3 Emitter
Absolute Maximum Ratings Ta = 25
Parameter Symbol Rating Unit
Collector-base voltage VCBO -30 V
Collector-emit

1.4. 2sb1412-p.pdf Size:39K _update

SMD Type Transistors
Low Frequency Transistor
2SB1412
TO-252
Unit: mm
+0.15 +0.1
6.50-0.15 2.30-0.1
+0.2 +0.8
5.30-0.2 0.50-0.7
Features
Low VCE(sat).
PNP silicon transistor.
0.127
+0.1 max
0.80-0.1
+0.1
2.3 0.60-0.1
1 Base
+0.15
4.60-0.15
2 Collector
3 Emitter
Absolute Maximum Ratings Ta = 25
Parameter Symbol Rating Unit
Collector-base voltage VCBO -30 V
Collector-emit

 1.5. 2sb1386 2sb1412 2sb1326.pdf Size:93K _rohm

2SB1386 / 2SB1412 / 2SB1326
Transistors
Low frequency transistor (-20V, -5A)
2SB1386 / 2SB1412 / 2SB1326
External dimensions (Units : mm)
Features
1) Low VCE(sat).
2SB1386 2SB1412
VCE(sat) = -0.35V (Typ.) 2.3+0.2
6.50.2
-0.1
4.5+0.2
C0.5
-0.1
5.1+0.2
(IC/IB = -4A / -0.1A) 1.5+0.2 -0.1 0.50.1
1.60.1 -0.1
2) Excellent DC current gain
characteristics.
3) Complements the 2SD209

1.6. 2sb1412.pdf Size:186K _utc

UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD
2SB1412 PNP SILICON TRANSISTOR
HIGH VOLTAGE SWITCHING
TRANSISTOR
? DESCRIPTION
The UTC 2SB1412 is an epitaxial planar type PNP silicon
transistor.
? FEATURES
* Excellent DC current gain characteristics
* Low VCE(SAT)
VCE(SAT)= -0.35V (Typ)
(IC/IB = -4A/-0.1A)
? ORDERING INFORMATION
Ordering Number Pin Assignment
Package Packing
Lead Fr

1.7. 2sb1412.pdf Size:255K _lge

2SB1412(PNP)
TO-251/TO-252-2L Transistor
TO-251
1.BASE
2.COLLECTOR
3.EMITTER
1 2 3
Features
Power amplifier applications
MAXIMUM RATINGS (TA=25? unless otherwise noted)
TO-252-2L
Symbol Parameter Value Units
VCBO Collector-Base Voltage -30 V
VCEO Collector-Emitter Voltage -20 V
VEBO Emitter-Base Voltage -6 V
IC Collector Current –Continuous -5 A
PC Collector Pow

1.8. 2sb1412.pdf Size:249K _wietron

2SB1412
PNP EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR
P b Lead(Pb)-Free
1.BASE
3
2.COLLECTOR
2
3.EMITTER 1
Features:
* Excellent DC Current Gain Characteristics
D-PAK(TO-252)
* Low VCE(Sat)
Mechanical Data:
* Case : Molded Plastic
* Weight : 0.925 grams
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(TA=25?C)
Rating Symbol Value Unit
VCBO
-30 V
Collector to Base Voltage
VCEO
-20 V
Collector to Emitter Voltage
V

1.9. 2sb1412.pdf Size:1550K _kexin

SMD Type Transistors
PNP Transistors
2SB1412
TO-252
Unit: mm
+0.15
6.50-0.15
+0.1
2.30 -0.1
■ Features
+0.2
5.30-0.2 +0.8
0.50 -0.7
● Excellent DC current gain characteristics
● Low VCE(SAT)
VCE(SAT)= -0.35V (Typ)
0.127
+0.1
0.80-0.1
max
+ 0.1
1 Base
2.3 0.60- 0.1
+0.15
4 .60 -0.15
2 Collector
3 Emitter
■ Absolute Maximum Ratings Ta = 25℃
Parameter Symbo

Другие транзисторы… SMUN5316DW
, SMUN5330DW
, SMUN5331DW
, SMUN5332DW
, SMUN5333DW
, SMUN5334DW
, UMH13N
, UMH15N
, TIP35C
, 3DD13002B
, A1015LT1
, A733LT1
, BC5347B
, BC546C
, BC846BDW
, BC846BPDW
, BC846CW
.

2SB1412 Datasheet (PDF)

1.1. 2sb1412 3ca1412.pdf Size:245K _update

2SB1412(3CA1412) 硅 PNP 半导体三极管/SILICON PNP TRANSISTOR
用途:用于中功率放大。
Purpose: Medium power amplifier applications.
特点:饱和压降低,极好的直流电流增益特性,与 2SD2118(3DG2118)互补。
Features: Low V ,excellent DC current gain characteristics, complements the 2SD2118(3DG2118).
CE(sat)
极限参数/Absolute maximum ratings(Ta=25℃)

1.2. 2sb1412-r.pdf Size:39K _update

SMD Type Transistors
Low Frequency Transistor
2SB1412
TO-252
Unit: mm
+0.15 +0.1
6.50-0.15 2.30-0.1
+0.2 +0.8
5.30-0.2 0.50-0.7
Features
Low VCE(sat).
PNP silicon transistor.
0.127
+0.1 max
0.80-0.1
+0.1
2.3 0.60-0.1
1 Base
+0.15
4.60-0.15
2 Collector
3 Emitter
Absolute Maximum Ratings Ta = 25
Parameter Symbol Rating Unit
Collector-base voltage VCBO -30 V
Collector-emit

 1.3. 2sb1412-q.pdf Size:39K _update

SMD Type Transistors
Low Frequency Transistor
2SB1412
TO-252
Unit: mm
+0.15 +0.1
6.50-0.15 2.30-0.1
+0.2 +0.8
5.30-0.2 0.50-0.7
Features
Low VCE(sat).
PNP silicon transistor.
0.127
+0.1 max
0.80-0.1
+0.1
2.3 0.60-0.1
1 Base
+0.15
4.60-0.15
2 Collector
3 Emitter
Absolute Maximum Ratings Ta = 25
Parameter Symbol Rating Unit
Collector-base voltage VCBO -30 V
Collector-emit

1.4. 2sb1412-p.pdf Size:39K _update

SMD Type Transistors
Low Frequency Transistor
2SB1412
TO-252
Unit: mm
+0.15 +0.1
6.50-0.15 2.30-0.1
+0.2 +0.8
5.30-0.2 0.50-0.7
Features
Low VCE(sat).
PNP silicon transistor.
0.127
+0.1 max
0.80-0.1
+0.1
2.3 0.60-0.1
1 Base
+0.15
4.60-0.15
2 Collector
3 Emitter
Absolute Maximum Ratings Ta = 25
Parameter Symbol Rating Unit
Collector-base voltage VCBO -30 V
Collector-emit

 1.5. 2sb1386 2sb1412 2sb1326.pdf Size:93K _rohm

2SB1386 / 2SB1412 / 2SB1326
Transistors
Low frequency transistor (-20V, -5A)
2SB1386 / 2SB1412 / 2SB1326
External dimensions (Units : mm)
Features
1) Low VCE(sat).
2SB1386 2SB1412
VCE(sat) = -0.35V (Typ.) 2.3+0.2
6.50.2
-0.1
4.5+0.2
C0.5
-0.1
5.1+0.2
(IC/IB = -4A / -0.1A) 1.5+0.2 -0.1 0.50.1
1.60.1 -0.1
2) Excellent DC current gain
characteristics.
3) Complements the 2SD209

1.6. 2sb1412.pdf Size:186K _utc

UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD
2SB1412 PNP SILICON TRANSISTOR
HIGH VOLTAGE SWITCHING
TRANSISTOR
? DESCRIPTION
The UTC 2SB1412 is an epitaxial planar type PNP silicon
transistor.
? FEATURES
* Excellent DC current gain characteristics
* Low VCE(SAT)
VCE(SAT)= -0.35V (Typ)
(IC/IB = -4A/-0.1A)
? ORDERING INFORMATION
Ordering Number Pin Assignment
Package Packing
Lead Fr

1.7. 2sb1412.pdf Size:255K _lge

2SB1412(PNP)
TO-251/TO-252-2L Transistor
TO-251
1.BASE
2.COLLECTOR
3.EMITTER
1 2 3
Features
Power amplifier applications
MAXIMUM RATINGS (TA=25? unless otherwise noted)
TO-252-2L
Symbol Parameter Value Units
VCBO Collector-Base Voltage -30 V
VCEO Collector-Emitter Voltage -20 V
VEBO Emitter-Base Voltage -6 V
IC Collector Current –Continuous -5 A
PC Collector Pow

1.8. 2sb1412.pdf Size:249K _wietron

2SB1412
PNP EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR
P b Lead(Pb)-Free
1.BASE
3
2.COLLECTOR
2
3.EMITTER 1
Features:
* Excellent DC Current Gain Characteristics
D-PAK(TO-252)
* Low VCE(Sat)
Mechanical Data:
* Case : Molded Plastic
* Weight : 0.925 grams
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(TA=25?C)
Rating Symbol Value Unit
VCBO
-30 V
Collector to Base Voltage
VCEO
-20 V
Collector to Emitter Voltage
V

1.9. 2sb1412.pdf Size:1550K _kexin

SMD Type Transistors
PNP Transistors
2SB1412
TO-252
Unit: mm
+0.15
6.50-0.15
+0.1
2.30 -0.1
■ Features
+0.2
5.30-0.2 +0.8
0.50 -0.7
● Excellent DC current gain characteristics
● Low VCE(SAT)
VCE(SAT)= -0.35V (Typ)
0.127
+0.1
0.80-0.1
max
+ 0.1
1 Base
2.3 0.60- 0.1
+0.15
4 .60 -0.15
2 Collector
3 Emitter
■ Absolute Maximum Ratings Ta = 25℃
Parameter Symbo

Инфраструктура рядом

показать списком

Агентства недвижимостиОрганизаций: 1 АлкогольОрганизаций: 1 АптекиОрганизаций: 4 Бани и сауныОрганизаций: 2 БанкиОрганизаций: 2 БарыОрганизаций: 3 БольницыОрганизаций: 1 БыттехникаОрганизаций: 2 Всё для охоты и рыбалкиОрганизаций: 1 ГаражиОрганизаций: 1 ДЕЗ, ЖЭК, ТСЖ, ЖСКОрганизаций: 1 Детские магазиныОрганизаций: 6 Детские центрыОрганизаций: 3 КафеОрганизаций: 3 ЛомбардыОрганизаций: 1 Магазины обувиОрганизаций: 2 Магазины одеждыОрганизаций: 9 Мебельные салоныОрганизаций: 5 Медицинские центрыОрганизаций: 2 МедлабораторииОрганизаций: 1 Ночные клубыОрганизаций: 1 ОптикаОрганизаций: 1 ПарикмахерскиеОрганизаций: 9 ПарковкиОрганизаций: 1 ПродуктыОрганизаций: 16 Ремонт быттехникиОрганизаций: 1 Ремонт компьютеровОрганизаций: 3 Ремонт обувиОрганизаций: 3 Ремонт телефоновОрганизаций: 1 Ремонт часовОрганизаций: 1 РепетиторыОрганизаций: 1 РестораныОрганизаций: 1 СолярииОрганизаций: 1 СпорттоварыОрганизаций: 1 СтрахованиеОрганизаций: 1 Установка оконОрганизаций: 4 Фитнес-клубыОрганизаций: 1 ФотостудииОрганизаций: 2 Химчистки, прачечныеОрганизаций: 3 ЦветыОрганизаций: 3 ЭлектроникаОрганизаций: 1 Ювелирные магазиныОрганизаций: 1

Почтовый индекс:

Код КЛАДР: 7700000200000000131

Относится к району Крюково Зеленоградского округа (ЗелАО) г. Москвы

Управляющая компания: ГУП «ДЕЗ района Крюково», тел.:+7 495 537 26 69.

06.08.2019 — 15.08.2019

Избирательный участок № 3175 по адресу
Зеленоград, корпус 1469 , тел.:(499) 717-44-22

Районные и окружные учреждения:

Управа района
ГИБДД
Центр гигиены
Бюро технической инвентаризации
Мосгорстат
Отдел УФМС
Дети улиц
Военкомат
Префектура
Инспекция по переустройству
Управление социального развития
Управление соцзащиты (РУСЗН)
Отдел ТУ Роспотребнадзора
Следственное управление
Агентство ДИГМ
Центр квотирования
ГУ ИС (ЕИРЦ)
УВО
Управление культуры
МФЦ
УВД
ТЦСО
Окружная прокуратура
Инспекция жилищного надзора
Отдел ФОМС

Департамент торговли и услуг
Муниципалитет
Управление МЧС
Отдел внутренних дел (ОВД)
Охрана МВД
Департамент строительства
Отделение ОУФМС
ФСКН
Межрайонная прокуратура
Финансово-казначейское управление
Управление ФСБ
Агентство гражданской защиты
Управление образования
Районный суд
Управление ФКиС
Административно-техническая инспекция
Моссоцгарантия
ОСИП
Центр занятости населения
Управление экономики
Управление ПФР
Управление здравоохранения
ДЕЗ
Департамент природопользования
Отдел ЗАГС

Список источников

  • www.MoscowMap.ru
  • alltransistors.com
Оцените статью
Добавить комментарий